IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵型雙極型晶體管，是工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域能源變換和傳輸?shù)暮诵脑骷?/p>

近年來，我國IGBT下游應(yīng)用廣泛，需求逐步擴(kuò)大，中國已逐漸成為全球最大的IGBT市場。同時(shí)，全球能源緊缺、國際市場供貨緊張等因素也使得IGBT的國產(chǎn)替代顯得更加至關(guān)重要。

過去十多年，作為國內(nèi)老牌PE投資機(jī)構(gòu)，九鼎投資沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資了大量細(xì)分領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)。今天，當(dāng)我們從電子時(shí)代走向智能世紀(jì)，半導(dǎo)體作為核心部件和我國的短板產(chǎn)業(yè)，在未來十年仍然處于高速成長期。

(資料圖片)

梳理九鼎投資在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多年的投資研究，針對被稱為電力電子裝置“CPU”的功率半導(dǎo)體器件IGBT，九鼎投資認(rèn)為，隨著國家對第三代半導(dǎo)體材料的重視，當(dāng)全新的國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈完備之時(shí)，國產(chǎn)IGBT或可屹立于世界前列。

國產(chǎn)替代是必須解決的一道難題

以新能源汽車普及為IGBT產(chǎn)業(yè)帶來的發(fā)展機(jī)遇為例，國內(nèi)的汽車企業(yè)興奮不已，不少車企認(rèn)為這是我國汽車產(chǎn)業(yè)彎道超車的絕佳機(jī)會。

然而，九鼎投資認(rèn)為，沒有核心技術(shù)的彎道超車仍是偽命題。因?yàn)椋陔妱悠嚂r(shí)代，國產(chǎn)電控技術(shù)與國外的差距，將比內(nèi)燃機(jī)時(shí)代更大。在內(nèi)燃機(jī)時(shí)代，通過測繪模仿，發(fā)動機(jī)性能能達(dá)到80%。而電氣化時(shí)代，經(jīng)過晶圓切割、測試、封裝制造出好比計(jì)算機(jī)CPU的新能源汽車IGBT芯片則非常難，進(jìn)行模仿的山寨之路不通，只能走自己的路。

與此同時(shí)，由于外企對擴(kuò)張保守，且功率器件產(chǎn)能擴(kuò)張周期長，新能源市場在未來一段時(shí)間都將出現(xiàn)IGBT的供應(yīng)缺口，這成為了新能源汽車發(fā)展的瓶頸。想要實(shí)現(xiàn)彎道超車，IGBT的國產(chǎn)化自給自足是必須解決的一道難題。

目前，IGBT行業(yè)的主要產(chǎn)業(yè)鏈包括：芯片設(shè)計(jì)、芯片制造和模塊的設(shè)計(jì)、封裝和測試，主要有IDM、Fabless、模塊集成幾個(gè)主流模式。九鼎投資在行業(yè)掃描過程中發(fā)現(xiàn)，不同模式領(lǐng)域都已有不少中國本土的大型企業(yè)、創(chuàng)業(yè)公司在進(jìn)行探索和嘗試。

啊、資金的傾斜，中國IGBT行業(yè)的發(fā)展也獲得了前所未有的動能。同時(shí)，出于供應(yīng)鏈安全考慮，在不同領(lǐng)域的下游廠商，都更多傾向使用國內(nèi)半導(dǎo)體廠商產(chǎn)品，國產(chǎn)IGBT份額有望提升。

從一級市場投資角度看，九鼎投資認(rèn)為，在市場需求的吸引下，自2005年開始，大量海外IGBT人才紛紛歸國，投入國產(chǎn)IGBT芯片和模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展；我國IGBT產(chǎn)業(yè)化水平已有了一定提升，部分企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此外，國內(nèi)IGBT廠商普遍具備性價(jià)比高、響應(yīng)速度快等本土化服務(wù)優(yōu)勢。

具體而言，對于該行業(yè)中處于早期發(fā)展階段的項(xiàng)目，九鼎投資將關(guān)注注重技術(shù)研發(fā)的Fabless模式運(yùn)營的半導(dǎo)體企業(yè)。

對于已經(jīng)有一定體量的項(xiàng)目，九鼎投資表示，將優(yōu)先關(guān)注擁有自主可控的生產(chǎn)線，有產(chǎn)品交付能力的企業(yè)。2021年，斯達(dá)半導(dǎo)體正是因?yàn)闆]有自主可控的產(chǎn)品生產(chǎn)線，與理想、小鵬的訂單失之交臂。在全球疫情席卷、地緣政治變化莫測的情形下，產(chǎn)品交付能力將是企業(yè)的核心競爭力。

同時(shí)，伴隨第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，全球SiC器件還處于剛剛起步的階段，即使海外龍頭企業(yè)具有一些先發(fā)優(yōu)勢，但技術(shù)差距遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于IGBT數(shù)十年積累的“迭代鴻溝”。因此，國產(chǎn)IGBT企業(yè)不僅要在Si-IGBT領(lǐng)域發(fā)力，在SiC功率器件上有技術(shù)儲備和產(chǎn)能布局的中國企業(yè)也將具備彎道超車的機(jī)會，這類企業(yè)也是九鼎投資重點(diǎn)關(guān)注的。

隨著國家對第三代半導(dǎo)體材料的重視，當(dāng)全新的國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈完備之時(shí)，國產(chǎn)IGBT或可屹立于世界前列。

本文來源：財(cái)經(jīng)報(bào)道網(wǎng)

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